電子束晶圓檢測，是掃描電子顯微鏡（SEM）技術的應用，其使用高能電子與晶圓表面的物質(zhì)發(fā)生相互作用時所激發(fā)出的信息進行成像，然后再通過圖像處理和運算來實現(xiàn)對晶圓缺陷、關鍵尺寸等進行檢測的目的。

電子束檢測以聚焦電子束作為檢測源，入射電子束激發(fā)出二次電子，然后通過對二次電子的收集和分析捕捉到缺陷或者關鍵尺寸。主要用于半導體元件的缺陷(Defects)、關鍵尺寸(Critical Dimension)等檢驗，以電性缺陷(Electrical defects)為主，形狀缺陷(Physical defects)次之。此外，由于檢測源為電子束，檢測結果不受某些表面物理性質(zhì)例如顏色異常、厚度變化或前層缺陷的影響，因此電子束檢測還可用于檢測很小的表面缺陷例如柵極刻蝕殘留物等。

電子束晶圓檢測系統(tǒng)由電子槍、電磁透鏡、收斂透鏡、物鏡、導向器、探測器、后端成像系統(tǒng)以及真空系統(tǒng)、高真空精密運動系統(tǒng)等部件組成，系統(tǒng)結構如下圖所示：

電子束檢測系統(tǒng)示意圖（圖片來源自網(wǎng)絡）

以下重要指標用以衡量電子束晶圓檢測系統(tǒng)的表現(xiàn)：

• 最小束直徑：直接影響檢測圖形的最小尺寸。
• 加速電壓：一般是10~100KV加速電壓越高，分辨率越高，可更容易檢測到缺陷。
• 電子束流：束流越大，檢測速度越快，最大檢測速度受掃描頻率限制，大束流的束斑也會較大。
• 掃描速度：掃描速度越快，檢測速度越快。
• 真空運動系統(tǒng)的定位精度等。

  電子束晶圓檢測系統(tǒng)中真空運動系統(tǒng)示意圖（圖片來源自網(wǎng)絡）

隱冠半導體基于多年的真空產(chǎn)品和高端運動系統(tǒng)的開發(fā)經(jīng)驗，針對電子束晶圓檢測設備開發(fā)的高真空XY臺已實現(xiàn)批量化生產(chǎn)，已給國內(nèi)多家相關企業(yè)批量供貨，且在國內(nèi)頭部Fab廠穩(wěn)定運行，其位置穩(wěn)定性可達±2nm，速度均勻性<0.1%（速度為100mm/s）?？蓮V泛應用于電子束缺陷檢測（E-beam Defects inspection）、電子束關鍵尺寸檢測（CD-SEM）、電子束缺陷復查（Review-SEM）等。高真空靜電吸盤也已完成研發(fā)并實現(xiàn)批量化生產(chǎn)，給國內(nèi)多家客戶供貨，且在國內(nèi)頭部Fab廠穩(wěn)定運行。

隱冠除了可以提供高精度真空運動系統(tǒng)之外，針對相關核心零部件做了大量國產(chǎn)化工作，包括且不限于真空雙頻激光干涉儀、真空壓電電機、靜電吸盤控制器、高真空運動線纜等。