壓電部門專注于精密定位執(zhí)行器的研發(fā)、生產(chǎn)制造、銷售；是國內(nèi)壓電領域極少數(shù)擁有從壓電陶瓷材料到壓電陶瓷電機再到納米精度壓電運動臺全產(chǎn)品鏈研發(fā)與批量生產(chǎn)能力的高科技企業(yè)。
隱冠打造精密運動臺、特種電機、壓電產(chǎn)品和關(guān)鍵零部件四大產(chǎn)品線，配備先進的精密運動控制測試平臺和一批專用工具，具備良好的生產(chǎn)測試條件。
隱冠半導體成立于2019年，是一家專注半導體制造、量檢測和先進封裝裝備精密運動平臺及核心部件研發(fā)與生產(chǎn)的高科技創(chuàng)新型企業(yè)。
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公司以客戶需求為導向、快速反應為特點。專業(yè)化定制、全生命周期服務是公司秉承的發(fā)展理念。
隱冠讓運動更精密，讓精密更穩(wěn)定。
在半導體制造業(yè)中，薄膜的厚度對器件的性能和質(zhì)量有重要影響。薄膜的厚度決定了許多重要的物理和化學性質(zhì)，對其折射、反射和透射的光學性質(zhì)有直接影響，可以導致顯著的量子尺寸效應，從而改變材料的電子、光學和磁性等。準確測量和控制薄膜厚度對于優(yōu)化器件性能、提高生產(chǎn)效率、確保器件可靠性等都具有重要的作用。
套刻誤差的定義是兩層圖形結(jié)構(gòu)中心之間的平面距離。隨著集成電路的層數(shù)不斷增多，多重圖形和多重曝光的光刻工藝被廣泛應用，不同步驟形成的電路圖形之間的套刻精度愈發(fā)重要。套刻誤差過大形成的錯位，會導致整個電路失效報廢。套刻誤差測量設備，用于確保不同層級電路圖形，和同一層電路圖形的正確對齊和放置。套刻誤差測量通常在每道光刻步驟后進行。
隨著半導體行業(yè)的飛速發(fā)展，半導體的生產(chǎn)工藝越來越復雜，尤其是5nm工藝的逐步成熟完善，3nm工藝不斷突破的情況下，芯片電路單元的尺寸越小，芯片生產(chǎn)過程中就越容易出現(xiàn)各種缺陷。一般來說，根據(jù)電子系統(tǒng)檢測中的“十倍法則”，在基材層面發(fā)現(xiàn)的故障傳導到芯片級別會造成成本十倍的增加，所以缺陷檢測系統(tǒng)在半導體行業(yè)極其重要。
電子束晶圓檢測，是掃描電子顯微鏡（SEM）技術(shù)的應用。其使用高能電子與晶圓表面的物質(zhì)發(fā)生相互作用時所激發(fā)出的信息進行成像。然后再通過圖像處理和運算來實現(xiàn)對晶圓缺陷、關(guān)鍵尺寸等進行檢測的目的。
