電子束晶圓檢測(cè)，是掃描電子顯微鏡（SEM）技術(shù)的應(yīng)用，其使用高能電子與晶圓表面的物質(zhì)發(fā)生相互作用時(shí)所激發(fā)出的信息進(jìn)行成像，然后再通過(guò)圖像處理和運(yùn)算來(lái)實(shí)現(xiàn)對(duì)晶圓缺陷、關(guān)鍵尺寸等進(jìn)行檢測(cè)的目的。

電子束檢測(cè)以聚焦電子束作為檢測(cè)源，入射電子束激發(fā)出二次電子，然后通過(guò)對(duì)二次電子的收集和分析捕捉到缺陷或者關(guān)鍵尺寸。主要用于半導(dǎo)體元件的缺陷(Defects)、關(guān)鍵尺寸(Critical Dimension)等檢驗(yàn)，以電性缺陷(Electrical defects)為主，形狀缺陷(Physical defects)次之。此外，由于檢測(cè)源為電子束，檢測(cè)結(jié)果不受某些表面物理性質(zhì)例如顏色異常、厚度變化或前層缺陷的影響，因此電子束檢測(cè)還可用于檢測(cè)很小的表面缺陷例如柵極刻蝕殘留物等。

電子束晶圓檢測(cè)系統(tǒng)由電子槍、電磁透鏡、收斂透鏡、物鏡、導(dǎo)向器、探測(cè)器、后端成像系統(tǒng)以及真空系統(tǒng)、高真空精密運(yùn)動(dòng)系統(tǒng)等部件組成，系統(tǒng)結(jié)構(gòu)如下圖所示：

電子束檢測(cè)系統(tǒng)示意圖（圖片來(lái)源自網(wǎng)絡(luò)）

以下重要指標(biāo)用以衡量電子束晶圓檢測(cè)系統(tǒng)的表現(xiàn)：

• 最小束直徑：直接影響檢測(cè)圖形的最小尺寸。
• 加速電壓：一般是10~100KV加速電壓越高，分辨率越高，可更容易檢測(cè)到缺陷。
• 電子束流：束流越大，檢測(cè)速度越快，最大檢測(cè)速度受掃描頻率限制，大束流的束斑也會(huì)較大。
• 掃描速度：掃描速度越快，檢測(cè)速度越快。
• 真空運(yùn)動(dòng)系統(tǒng)的定位精度等。

  電子束晶圓檢測(cè)系統(tǒng)中真空運(yùn)動(dòng)系統(tǒng)示意圖（圖片來(lái)源自網(wǎng)絡(luò)）

隱冠半導(dǎo)體基于多年的真空產(chǎn)品和高端運(yùn)動(dòng)系統(tǒng)的開發(fā)經(jīng)驗(yàn)，針對(duì)電子束晶圓檢測(cè)設(shè)備開發(fā)的高真空XY臺(tái)已實(shí)現(xiàn)批量化生產(chǎn)，已給國(guó)內(nèi)多家相關(guān)企業(yè)批量供貨，且在國(guó)內(nèi)頭部Fab廠穩(wěn)定運(yùn)行，其位置穩(wěn)定性可達(dá)±2nm，速度均勻性<0.1%（速度為100mm/s）?？蓮V泛應(yīng)用于電子束缺陷檢測(cè)（E-beam Defects inspection）、電子束關(guān)鍵尺寸檢測(cè)（CD-SEM）、電子束缺陷復(fù)查（Review-SEM）等。高真空靜電吸盤也已完成研發(fā)并實(shí)現(xiàn)批量化生產(chǎn)，給國(guó)內(nèi)多家客戶供貨，且在國(guó)內(nèi)頭部Fab廠穩(wěn)定運(yùn)行。

隱冠除了可以提供高精度真空運(yùn)動(dòng)系統(tǒng)之外，針對(duì)相關(guān)核心零部件做了大量國(guó)產(chǎn)化工作，包括且不限于真空雙頻激光干涉儀、真空壓電電機(jī)、靜電吸盤控制器、高真空運(yùn)動(dòng)線纜等。