電子束光刻（E-beam Lithography）運(yùn)動(dòng)系統(tǒng)

電子束光刻（E-beam lithography）始于上世紀(jì)60年代，是在電子顯微鏡的基礎(chǔ)上發(fā)展起來(lái)的用于微電路研究和制造的曝光技術(shù)，是半導(dǎo)體微電子制造及納米科技的關(guān)鍵設(shè)備、基礎(chǔ)設(shè)備。電子束光刻是由高能量電子束和光刻膠相互作用，使膠由長(zhǎng)（短）鏈變成短（長(zhǎng)）鏈，實(shí)現(xiàn)曝光。相比于光刻機(jī)具有更高的分辨率，主要用于制作光刻掩模版、硅片直寫和納米科學(xué)技術(shù)研究。