(圖片來源自網(wǎng)絡(luò))

電子束光刻（E-beam lithography）始于上世紀(jì)60年代，是在電子顯微鏡的基礎(chǔ)上發(fā)展起來的用于微電路研究和制造的曝光技術(shù)，是半導(dǎo)體微電子制造及納米科技的關(guān)鍵設(shè)備、基礎(chǔ)設(shè)備。電子束光刻是由高能量電子束和光刻膠相互作用，使膠由長(zhǎng)（短）鏈變成短（長(zhǎng)）鏈，實(shí)現(xiàn)曝光。相比于光刻機(jī)具有更高的分辨率，主要用于制作光刻掩模版、硅片直寫和納米科學(xué)技術(shù)研究。

目前，活躍在科研和產(chǎn)業(yè)界的電子束光刻設(shè)備主要是高斯束（圓束）、變形束（矩形束）和多電子束3類，其中高斯束設(shè)備相對(duì)門檻較低，能夠靈活曝光任意圖形，因此被廣泛應(yīng)用于各大高校和研發(fā)機(jī)構(gòu)的基礎(chǔ)科學(xué)研究中，而變形束和多束電子束光刻設(shè)備則主要服務(wù)于工業(yè)界的掩模制備中。比如說EUV光刻機(jī)掩模版的制作，目前只能依賴于電子束光刻技術(shù)。

電子束光刻設(shè)備包括電子光學(xué)系統(tǒng)、圖形發(fā)生器系統(tǒng)、真空系統(tǒng)以及高精度運(yùn)動(dòng)系統(tǒng)等。其中高精度運(yùn)動(dòng)系統(tǒng)是電子束光刻設(shè)備中極其重要的組成部分，其主要功能表現(xiàn)為實(shí)現(xiàn)電子束曝光圖形的拼接、實(shí)現(xiàn)對(duì)準(zhǔn)和套刻、調(diào)焦、自動(dòng)上下片等。其運(yùn)動(dòng)精度、速度、加速度以及動(dòng)態(tài)定位和掃描同步性能是影響電子束光刻設(shè)備整機(jī)成像質(zhì)量、套刻精度和生產(chǎn)效率的重要因素。目前，全球幾乎所有品牌的電子束光刻設(shè)備，其真空運(yùn)動(dòng)系統(tǒng)均采用了激光干涉儀進(jìn)行閉環(huán)控制，確保其運(yùn)動(dòng)和定位精度。

典型的電子束光刻設(shè)備架構(gòu)圖（圖片來源自網(wǎng)絡(luò)）

隱冠半導(dǎo)體基于多年的真空產(chǎn)品和高端運(yùn)動(dòng)系統(tǒng)的開發(fā)經(jīng)驗(yàn)，針對(duì)電子束光刻設(shè)備可以提供nm級(jí)精度、激光干涉儀閉環(huán)的高精度真空運(yùn)動(dòng)系統(tǒng)，并可以完全解決其核心零部件的國產(chǎn)化問題，包括且不限于真空雙頻激光干涉儀、真空壓電電機(jī)、靜電吸盤、高真空運(yùn)動(dòng)線纜等。

目前，隱冠半導(dǎo)體已開發(fā)不同類型的壓電電機(jī)產(chǎn)品，且均可以提供適應(yīng)于高真空環(huán)境下的版本。高真空線纜已批量給國內(nèi)客戶供貨。高真空靜電吸盤已實(shí)現(xiàn)批量化生產(chǎn)，給國內(nèi)多家客戶供貨，且在國內(nèi)頭部Fab廠穩(wěn)定運(yùn)行。應(yīng)用于電子束檢測(cè)設(shè)備的高真空XY臺(tái)已實(shí)現(xiàn)批量化生產(chǎn)，已給國內(nèi)多家相關(guān)企業(yè)批量供貨，且在國內(nèi)頭部Fab廠穩(wěn)定運(yùn)行，其位置穩(wěn)定性可達(dá)±2nm，速度均勻性<0.1%（速度為100mm/s）。